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單項(xiàng)選擇題

MOS晶體管的（）可以用來表征柵電壓對(duì)其溝道電流的控制能力，其值越（），則表示這種控制能力也越強(qiáng)。

A.電流放大系數(shù)，大
B.電流放大系數(shù)，小
C.跨導(dǎo)，小
D.跨導(dǎo)，大

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單項(xiàng)選擇題

已知Si中摻有硼雜質(zhì)，且摻雜濃度為10¹⁷/cm³，則這是（）型半導(dǎo)體，該半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在禁帶中線的（）

A.N，上方
B.P，上方
C.P，下方
D.N ，下方

單項(xiàng)選擇題

已知MOS結(jié)構(gòu)的硅襯底費(fèi)米勢(shì)大于0，則該材料中的電子濃度（）空穴濃度。

A.大于
B.小于
C.等于
D.無法判斷

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