【計(jì)算題】室溫（300K）下，半導(dǎo)體鍺（Ge）的本征電阻率為47Ωcm，已知其電子遷移率μ_n和空穴遷移率μ_p分別為3600cm²/Vs和1700cm²/Vs，試求半導(dǎo)體鍺的本征載流子濃度n_i。若摻入百萬(wàn)分之一的磷（P）后，計(jì)算室溫下電子濃度n₀和空穴濃度p₀和電阻率ρ。（假定遷移率不隨摻雜而變化，雜質(zhì)全部電離并忽略少子的貢獻(xiàn)，鍺的原子密度為4.4*10²²/cm³）