問答題

【簡答題】描述硅片偏置對HDPCVD方向性的影響。

答案：使HDPCVD能夠淀積得到的膜可以填充深寬比為3:1到4:1甚至更高的間隙。

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答案：高密度等離子體化學(xué)氣相淀積；HDPCVD在IC中的優(yōu)勢是有良好的間隙能力，并可以在300-400℃較低的淀積溫度下，制備...

【簡答題】CVD過程中采用等離子體的優(yōu)點有哪些？

答案： 1.更高的工藝溫度（250-450℃）；
2.對高的深寬比間隙有好的填充能力（用高密度等離子體）；
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