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在硅片上熱氧化0.5μm厚的氧化層時,硅片增厚了()μm。
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0.28
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?熱氧化工藝本質(zhì)上是在硅與二氧化硅()發(fā)生的硅的氧化反應(yīng)。
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低壓氣相外延能降低()效應(yīng),從而降低了外延時的雜質(zhì)再分布。
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