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半導體芯片制造工章節(jié)練習(2019.06.25)

問答題
簡述幾種常用的氧化方法及其特點。
答案：制備SiO2的方法有很多，熱分解淀積、濺射、真空蒸發(fā)、陽極氧化法、化學氣相淀積、熱氧化法等。熱生長法制備的SiO2質量好...
問答題
什么是濺射產額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產額產生的影響。
答案：濺射產額：影響因素：離子質量、離子能量、靶原子質量、靶的結晶性只有當入射離子的能量超過一定能量（濺射閾值）時，才能發(fā)生濺...
問答題
粘封工藝中，常用的材料有哪幾類？
答案：
常用膠粘劑有熱固性樹脂、熱塑性樹脂和橡膠型膠粘劑3大類。
填空題
工藝人員完成工藝操作后要認真、及時填寫工藝記錄，做到記錄內容詳細、（）、（）、書寫工整、（）。
答案：真實；完整；數據準確
問答題
以P2O5為例，多晶硅中雜質擴散的方式及分布情況。
答案：在多晶硅薄膜中進行雜質擴散的擴散方式與單晶硅中的方式是不同的，因為多晶硅中有晶粒間界存在，所以雜質原子主要沿著晶粒間界進...
判斷題
拋光片的電學參數包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）
答案：錯誤
單項選擇題
半導體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結溫下工作。
A.熱阻
B.阻抗
C.結構參數
問答題
離子在靶內運動時，損失能量可分核阻滯和電子阻滯，解釋什么是核阻滯、電子阻滯？兩種阻滯本領與注入離子能量具有何關系？
答案：①碰撞注入離子與靶內原子核之間的相互碰撞。因注入離子與靶原子的質量一般為同一數量級，每次碰撞之后，注入離子都可能發(fā)生大角...
單項選擇題
濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來淀積在襯底上形成薄膜。
A.電子
B.中性粒子
C.帶能離子
單項選擇題
腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）
A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸

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