半導(dǎo)體芯片制造工問(wèn)答題每日一練(2020.06.09)

問(wèn)答題
個(gè)投影曝光系統(tǒng)采用ArF光源，數(shù)值孔徑為0.6，設(shè)k1=0.6，n=0.5，計(jì)算其理論分辨率和焦深。
答案：
分辨率：
焦深：
問(wèn)答題
解釋水的去離子化。在什么電阻率級(jí)別下水被認(rèn)為已經(jīng)去離子化？
答案：用以制造去離子水的去離子化過(guò)程是指，用特制的離子交換樹(shù)脂去除電活性鹽類(lèi)的離子。18MΩ-cm電阻率級(jí)別下水被認(rèn)為已經(jīng)去離...
問(wèn)答題
例舉出芯片廠中6個(gè)不同的生產(chǎn)區(qū)域并對(duì)每一個(gè)生產(chǎn)區(qū)域做簡(jiǎn)單描述。
答案：芯片廠中通常分為擴(kuò)散區(qū)、光刻區(qū)、刻蝕區(qū)、離子注入?yún)^(qū)、薄膜生長(zhǎng)區(qū)和拋光區(qū)6個(gè)生產(chǎn)區(qū)域：
①擴(kuò)散區(qū)是進(jìn)行高溫工藝及...
問(wèn)答題
下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過(guò)程，寫(xiě)出發(fā)生反應(yīng)的方程式，并簡(jiǎn)述其中1～5各步的含義。
答案：（1）反應(yīng)氣體從腔體入口向晶圓片附近輸運(yùn)；
（2）這些氣體反應(yīng)生成系列次生分子；
（3）這些反應(yīng)物輸...
問(wèn)答題
解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
答案：由于電荷之間的相互排斥，所以一束僅包括正電荷的離子束本身是不穩(wěn)定的，容易造成離子束的膨脹即離子束的直徑在行進(jìn)過(guò)程中不斷的...

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半導(dǎo)體芯片制造工問(wèn)答題每日一練(2020.06.09)

個(gè)投影曝光系統(tǒng)采用ArF光源，數(shù)值孔徑為0.6，設(shè)k1=0.6，n=0.5，計(jì)算其理論分辨率和焦深。

解釋水的去離子化。在什么電阻率級(jí)別下水被認(rèn)為已經(jīng)去離子化？

例舉出芯片廠中6個(gè)不同的生產(chǎn)區(qū)域并對(duì)每一個(gè)生產(chǎn)區(qū)域做簡(jiǎn)單描述。

下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過(guò)程，寫(xiě)出發(fā)生反應(yīng)的方程式，并簡(jiǎn)述其中1～5各步的含義。

解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。

半導(dǎo)體芯片制造工問(wèn)答題每日一練(2020.06.09)

個(gè)投影曝光系統(tǒng)采用ArF光源，數(shù)值孔徑為0.6，設(shè)k1=0.6，n=0.5，計(jì)算其理論分辨率和焦深。

解釋水的去離子化。在什么電阻率級(jí)別下水被認(rèn)為已經(jīng)去離子化？

例舉出芯片廠中6個(gè)不同的生產(chǎn)區(qū)域并對(duì)每一個(gè)生產(chǎn)區(qū)域做簡(jiǎn)單描述。

下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過(guò)程，寫(xiě)出發(fā)生反應(yīng)的方程式，并簡(jiǎn)述其中1～5各步的含義。

解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。

個(gè)投影曝光系統(tǒng)采用ArF光源，數(shù)值孔徑為0.6，設(shè)k1=0.6，n=0.5，計(jì)算其理論分辨率和焦深。

解釋水的去離子化。在什么電阻率級(jí)別下水被認(rèn)為已經(jīng)去離子化？

例舉出芯片廠中6個(gè)不同的生產(chǎn)區(qū)域并對(duì)每一個(gè)生產(chǎn)區(qū)域做簡(jiǎn)單描述。

下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過(guò)程，寫(xiě)出發(fā)生反應(yīng)的方程式，并簡(jiǎn)述其中1～5各步的含義。

解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。