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制備TiO
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等介質(zhì)薄膜可以采用()濺射方法。
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在硅片上熱氧化0.5μm厚的氧化層時(shí),硅片增厚了()μm。
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?熱氧化工藝本質(zhì)上是在硅與二氧化硅()發(fā)生的硅的氧化反應(yīng)。
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